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PSMN013-100XS,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 48.4W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3195pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Otros incluyen   "PSMN0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PSMN0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PSMN002 PHILIPS CIs Calientes Especializados 1061
PSMN002-25B PHILIPS CIs Calientes Especializados 2257
PSMN002-25P PHI CIs Calientes Especializados 2782
PSMN003-25W PHILPS CIs Calientes Especializados 48
PSMN003-30B NXP CIs Calientes Especializados 2750
PSMN003-30B,118 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525
PSMN003-30P NXP CIs Calientes Especializados 712
PSMN003-30P,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
PSMN004-25B PHI CIs Calientes Especializados 11222
PSMN004-25P PH CIs Calientes Especializados 6000

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