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PMV22EN,215 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Power Dissipation (Max) 510mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 5.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "PMV22"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PMV22' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PMV22EN NXP CIs Calientes Especializados 19544
PMV22EN MOS Nexperia CIs Calientes Especializados 6430
PMV22EN,215 NXP USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PMV22EN.215 NXP CIs Calientes Especializados 6500
PMV22EN215 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 15761

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