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PHX8NQ11T,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 110V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 27.7W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHX8NQ11T PHI CIs Calientes Especializados 2285

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