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PHX18NQ20T,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Tc)
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Otros incluyen   "PHX18"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PHX18' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHX18NQ11T PHI CIs Calientes Especializados 944
PHX18NQ11T IC PHILIPS CIs Calientes Especializados 20467
PHX18NQ11T,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2640
PHX18NQ20T PHILIPS CIs Calientes Especializados 251

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