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PHT11N06LT,135 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 5A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Ta)
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Otros incluyen   "PHT11"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PHT11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHT11N06 NXP CIs Calientes Especializados 3090
PHT11N06 MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 3388
PHT11N06135 NXP CIs Calientes Especializados 4500
PHT11N06LT NXP CIs Calientes Especializados 3398
PHT11N06LT MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 37446
PHT11N06LT135 NXP CIs Calientes Especializados 200500
PHT11N06T PH CIs Calientes Especializados 9587
PHT11N06T MOS Nexperia CIs Calientes Especializados 1402

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