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PHD55N03LTA,118 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 55A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
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Otros incluyen   "PHD55"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PHD55' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHD55D03LTA NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 5
PHD55N03 PHILIPS CIs Calientes Especializados 2505
PHD55N03LT PHI CIs Calientes Especializados 18942
PHD55N03LT MOS PHILIPS CIs Calientes Especializados 2721
PHD55N03LT=PHD71NQ03LT PHILIPS CIs Calientes Especializados 15500
PHD55N03LTA NXP CIs Calientes Especializados 52149
PHD55N03LTA MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 560

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