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PHB112N06T,118
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PHB112N06T,118 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4352pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
PHB112N06T,118 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para PHB112N06T,118
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Otros incluyen "PHB11" partes
Las siguientes partes incluyen 'PHB11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PHB110N03LT | PHILIPS/NXP | CIs Calientes Especializados | 16030 |
PHB110NQ06LT | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 33000 |
PHB110NQ06LT,118 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2636 |
PHB110NQ08LT | PHNXP | CIs Calientes Especializados | 28523 |
PHB110NQ08LT,118 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2535 |
PHB110NQ08T | PHNXP | CIs Calientes Especializados | 23099 |
PHB110NQ08T,118 | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2672 |
PHB112N06T | PH | CIs Calientes Especializados | 556 |
PHB119NQ06T | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 1852 |
PHB119NQ06T,118 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2659 |
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