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PDTD123TS,126
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PDTD123TS,126 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PDTD1" partes
Las siguientes partes incluyen 'PDTD1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PDTD113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2794 |
PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PDTD113EQAZ | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2794 |
PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PDTD113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2741 |
PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PDTD113ET | NXP | CIs Calientes Especializados | 6000 |
PDTD113ET ,215 IC | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 596 |
PDTD113ET,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2705 |
PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados |
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