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BUK9E4R9-60E,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9710pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 234W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Otros incluyen   "BUK9E"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BUK9E' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUK9E04-30B PHILIPS CIs Calientes Especializados 2594
BUK9E04-30B,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2543
BUK9E04-40A PHI CIs Calientes Especializados 6000
BUK9E04-40A,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2504
BUK9E06-55A NXP CIs Calientes Especializados 43071
BUK9E06-55A,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2696
BUK9E06-55A,127 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK9E06-55B NA CIs Calientes Especializados 190
BUK9E06-55B,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777
BUK9E08-55B PHI CIs Calientes Especializados 281

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