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BUK7E07-55B,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3760pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 203W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUK7E04-40A,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704
BUK7E04-40A,127 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK7E11-55B,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589
BUK7E13-60E,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2566
BUK7E13-60E,127 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK7E1R6-30E,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2512
BUK7E1R8-40E NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 30317
BUK7E1R8-40E,127 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2508
BUK7E1R8-40E,127 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BUK7E1R8-40E127 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 865

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