BS108,126 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BS108 BL CIs Calientes Especializados 24778
BS108 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3347
BS108/01,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
BS108G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2791
BS108ZL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2457
BS108ZL1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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