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BFU660F,115 Especificaciones técnicas

TRANSISTOR NPN SOT343F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.5V
Supplier Device Package 4-DFP
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 21GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 225mW
Package / Case SOT-343F
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Gain 12dB ~ 21dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFU660F NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 1278
BFU660F,115 NXP USA Inc. Transistores BJT RF
BFU668F NXP CIs Calientes Especializados 90917
BFU668F,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2768
BFU668F,115 NXP USA Inc. Transistores BJT RF

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