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BFU590GX Especificaciones técnicas

TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 8.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 2W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 8dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 80mA, 8V
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Otros incluyen   "BFU59"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFU590G NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 31578
BFU590GX NXP USA Inc. Transistores BJT RF
BFU590Q Son CIs Calientes Especializados 31280
BFU590QX NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - RF 5473
BFU590QX NXP USA Inc. Transistores BJT RF

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