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BC559C,116 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC559 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 10277
BC559 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 50287
BC559 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BC559 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC559-B QG CIs Calientes Especializados 25210
BC559-C KEC CIs Calientes Especializados 24310
BC559ABU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2691
BC559ABU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2534
BC559ATA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2627
BC559ATA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2651

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