VS-GT75NP120N Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-PAK (3 + 4)
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.45nF @ 30V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
Power - Max 446W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Single
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GT100DA120U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GT100DA120U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2716
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GT100DA120UF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2536
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GT100DA60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2615
VS-GT100DA60U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2530
VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GT100LA120UX Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2637
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