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VS-ETH0806-M3 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.65V @ 8A
Supplier Device Package TO-220-2
Series FRED Pt®
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Package / Case TO-220-2
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 12µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
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VS-ETH0806-M3 Documentos

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Otros incluyen   "VS-ET"   partes

Las siguientes partes incluyen  'VS-ET' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-ETF075Y60U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 15
VS-ETF075Y60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2753
VS-ETF075Y60U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-ETF150Y65N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2500
VS-ETF150Y65N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2510
VS-ETF150Y65N Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-ETF150Y65U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2685
VS-ETF150Y65U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2655
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
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