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UPA811T-T1-A
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UPA811T-T1-A Especificaciones técnicas
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 8GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 2GHz |
Gain | 7.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "UPA81" partes
Las siguientes partes incluyen 'UPA81'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
UPA810T-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2731 |
UPA810T-A | CEL | Transistores BJT RF | |
UPA810T-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2137 |
UPA810T-T1 | CEL | Transistores BJT RF | |
UPA810T-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2611 |
UPA810T-T1-A | CEL | Transistores BJT RF | |
UPA810T-T1-A | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT RF | |
UPA811T-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2740 |
UPA811T-A | CEL | Transistores BJT RF | |
UPA811T-T1 | NEC | CIs Calientes Especializados | 21269 |
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