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UMG3N-TP Especificaciones técnicas

DIODE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Micro Commercial Co
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code compliant
Number of Elements 2
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistor Element Material SILICON
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15W
RoHS Status RoHS Compliant
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Otros incluyen   "UMG3N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'UMG3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMG3N Original CIs Calientes Especializados 51418
UMG3N TR ROHM CIs Calientes Especializados 4885
UMG3NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3360
UMG3NTR ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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