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TIP30C-S Especificaciones técnicas

TRANS PNP 100V 1A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Bourns, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP
Power - Max 2W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 125mA, 1A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
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Las siguientes partes incluyen  'TIP30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TIP30 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4024
TIP30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 901
TIP30 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
TIP30 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
TIP30-S Bourns, Inc. Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2707
TIP30-S Bourns Inc. Transistores BJT individuales
TIP3055 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 55780
TIP3055 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2265
TIP3055 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 55595
TIP3055 ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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