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SIZF920DT-T1-GE3 Especificaciones técnicas

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Vishay Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series TrenchFET® Gen IV
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA, 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A Ta 76A Tc 49A Ta 197A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-PowerPair® (6x5)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Power - Max 3.9W Ta 28W Tc 4.5W Ta 74W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V 5230pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
FET Feature Standard
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIZF906ADT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2580
SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 576
SIZF906DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 366
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SIZF914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
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SIZF920DT-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay Siliconix, Bonchip existencias, SIZF920DT-T1-GE3 precio de referencia. SIZF920DT-T1-GE3 parámetros, SIZF920DT-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIZF920DT-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIZF920DT-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIZF920DT-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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