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SIZ260DT-T1-GE3 Especificaciones técnicas
Dual N-Channel 80 V (D-S) MOSFETs
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
Series | TrenchFET® Gen IV |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A Ta 24.7A Tc 8.9A Ta 24.6A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Part Status | Active |
Power - Max | 4.3W Ta 33W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5mOhm @ 10A, 10V, 24.7mOhm @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
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