SIHP17N80E-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2408pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHP10N40D VISHAY CIs Calientes Especializados 10309
SIHP10N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2546
SIHP10N40D-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
SIHP10N40D-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHP10N40D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
SIHP10N40D-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
SIHP10N40D-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHP11N80E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 20
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