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SIHG17N60D-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 277.8W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1780pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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SIHG17N60D-GE3 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SIHG17N60D-GE3

Otros incluyen   "SIHG1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHG1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHG100N60E-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1861
SIHG11N80E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2654
SIHG11N80E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG14N50D-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2732
SIHG14N50D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2720
SIHG14N50D-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG14N50D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
SIHG14N50D-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2607
SIHG14N50D-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG15N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2667

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