SI9945BDY-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI9940ADY VISHAY CIs Calientes Especializados 2540
SI9940DY SILICONIX CIs Calientes Especializados 506
SI9940DY-T1 SI CIs Calientes Especializados 1809
SI9940DY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 677
SI9941DY Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 25
SI9942 SILICONIX CIs Calientes Especializados 5256
SI9942DY SILICON CIs Calientes Especializados 2645
SI9942DY-T Original CIs Calientes Especializados 664
SI9942DY-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 7746
SI9942DY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 350939

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