SI9926BDY-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.14W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI9925DY VISHAY CIs Calientes Especializados 3291
SI9925DY-T1 SI CIs Calientes Especializados 3937
SI9925DY-T1-E3 SOP-8 CIs Calientes Especializados 29742
SI9925DY-T1-E3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16167
SI9925DY-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3820
SI9926 SI CIs Calientes Especializados 2368
SI9926 BDY Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5284
SI9926-3 KEXIN CIs Calientes Especializados 14922
SI9926/TSM9926 Original CIs Calientes Especializados 22400
SI9926A VISHAY CIs Calientes Especializados 2665

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