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SI7958DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Otros incluyen   "SI795"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI795' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7956DP SI CIs Calientes Especializados 571
SI7956DP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 665
SI7956DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3256
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI7956DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 801982
SI7956DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 6373
SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI7956DP-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5659
SI7958DP SI CIs Calientes Especializados 1173
SI7958DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 18720

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