SI7913DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.3W
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Part Number SI7913
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7913DN-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7911DN VISHAY CIs Calientes Especializados 3421
SI7911DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 108342
SI7911DN-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1711
SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI7911DN-T1-E3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9497
SI7911DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 56190
SI7911DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3218
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI7911DN-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3337
SI7911DN-T1-GE3 QFN8 VISHAY CIs Calientes Especializados 3000

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