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SI7489DP-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7483ADP SI CIs Calientes Especializados 5219
SI7483ADP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1438
SI7483ADP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5472
SI7483ADP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 799673
SI7483ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 690
SI7483DP Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 16
SI7483DP-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 9483
SI7483DP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 15489
SI7483DP-T1-GE3 VB CIs Calientes Especializados 1000
SI7485DDP-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5776

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