SI4455DY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
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SI4450DY-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 9523
SI4450DY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 84117
SI4450DY-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9267
Si4450DY-T1-E3. Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 10000
Si4450DY-T1-E3.. VISHAY CIs Calientes Especializados 38359
SI4450DY-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 80484
SI4451DY VISHAY/ CIs Calientes Especializados 2529
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