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SI4056DY-T1-GE3
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SI4056DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.1A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4055-B1A-FM | Silicon Labs | Transmisores de RF | |
SI4055-B1A-FMR | Silicon Labs | Transmisores de RF | |
SI4055-C2A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | Transmisores RF | 2601 |
SI4055-C2A-GM | Silicon Labs | Transmisores de RF | |
SI4055-C2A-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | Transmisores RF | 2653 |
SI4055-C2A-GMR | Silicon Labs | Transmisores de RF | |
SI4056 | 100K | CIs Calientes Especializados | 2635 |
Si4056DY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5218 |
SI4056DY-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 22339 |
SI4056DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 540 |
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