SI3905DV-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 1.15W
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI3900DV VISHAY CIs Calientes Especializados 6000
SI3900DV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 28437
SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI3900DV-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2081
SI3900DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 21790
SI3900DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 44180
SI3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
Si3900DV-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3388
SI3905DV-T1 SILICON CIs Calientes Especializados 2056
SI3905DV-T1 IC SILICONIX CIs Calientes Especializados 3455

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