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SI3457CDV-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 5.1A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 4.1A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI3457CDV-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI3450-GM SILICON CIs Calientes Especializados 2587
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SI3451DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3429
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SI3452-B01-GM Silicon Labs Controladores PoE
SI3452-B01-IM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Controladores de Energía sobre Ethernet (PoE) 2660
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SI3457CDV-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SI3457CDV-T1-GE3 precio de referencia. SI3457CDV-T1-GE3 parámetros, SI3457CDV-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI3457CDV-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI3457CDV-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI3457CDV-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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