SI2316DS-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'SI231' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI2310 Original CIs Calientes Especializados 8880399
SI2310 60v KF CIs Calientes Especializados 360500
SI2310 CMN2310 VB CIs Calientes Especializados 10000
SI2310-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3381
SI2310-TP Micro Commercial Co Transistores MOSFET individuales
SI2310/KF2310 KEFAN CIs Calientes Especializados 120210
SI2310DS VISAHY CIs Calientes Especializados 30000
SI2310DS-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 364
SI2310DS-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 30415
SI2310DS-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 9350

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