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SI1062X-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V SC-89

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 220mW (Ta)
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SC-89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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Otros incluyen   "SI106"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI106' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI1060-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 5428
SI1060-A-GM Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1060-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2783
SI1060-A-GMR Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1061-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2728
SI1061-A-GM Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1061-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2708
SI1061-A-GMR Silicon Labs ICs Transceptores RF
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SI1062X-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI1062X-T1-GE3 precio de referencia. SI1062X-T1-GE3 parámetros, SI1062X-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI1062X-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI1062X-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI1062X-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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