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SI1036X-T1-GE3
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SI1036X-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 220mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount SC-89-6 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-89-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 610mA (Ta) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI1030 | Silicon Labs | Microprocesadores | |
SI1030-A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2598 |
SI1030-A-GM | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI1030-A-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2576 |
SI1030-A-GMR | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI1030-B-GM3 | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2511 |
SI1030-B-GM3 | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI1030-B-GM3R | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2544 |
SI1030-B-GM3R | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI1031-A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2665 |
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