SI1024X-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 485mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1024X-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 485mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Base Part Number SI1024
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SI1020-915-A-DK Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2726
SI1020-915-A-DK Silicon Labs Placas RF
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