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S25FS512SDSBHB210 Especificaciones técnicas

IC 512M FLASH MEMORY

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 1.7 V ~ 2 V
Speed 80MHz
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Interface SPI-MIO
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 24-BGA (6x8)
Series Automotive, AEC-Q100, FS-S
Package / Case 24-TBGA
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
S25FS064SAGBHB020 Cypress Semiconductor Memoria 2713
S25FS064SAGBHB020 Cypress Semiconductor Corp Memoria
S25FS064SAGBHB023 Cypress Semiconductor Memoria 2579
S25FS064SAGBHB023 Cypress Semiconductor Corp Memoria
S25FS064SAGBHI020 Cypress Semiconductor Memoria 2748
S25FS064SAGBHI020 Cypress Semiconductor Corp Memoria
S25FS064SAGBHN020 Cypress Semiconductor Memoria 2680
S25FS064SAGBHV020 Cypress Semiconductor Memoria 2751
S25FS064SAGBHV020 Cypress Semiconductor Corp Memoria
S25FS064SAGMFB010 Cypress Semiconductor Memoria 2569

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