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S1GHE3_A/I Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
S1GHE AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2533
S1GHE Fairchild/ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2581
S1GHE ON Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
S1GHE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 7635
S1GHE3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 7954
S1GHE3/5AT Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 87262
S1GHE3/5AT Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 27523
S1GHE3/5AT IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3205
S1GHE3/61T Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 29390
S1GHE3/61T Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 29390

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