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RN1304,LF Especificaciones técnicas

X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 100mW
Other Names RN1304LF
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1301 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 260602
RN1301(T5L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5709
RN1301(T5L ,F ,H) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5357
RN1301(T5L,F,H) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11400
RN1301(T5LFH) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11300
RN1301(T5LSONYFT Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3375
RN1301(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 8342
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2626
RN1301,RXGF TOS CIs Calientes Especializados 3000
RN1301LF Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1372

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