PUMH13F Especificaciones técnicas

PUMH13/SOT363/SC-88

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Nexperia USA Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain-Min (hFE) 100
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Number of Terminations 6
Terminal Position DUAL
Pin Count 6
Number of Elements 2
Transistor Application SWITCHING
Collector Current-Max (IC) 0.1A
Collector-Emitter Voltage-Max 50V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PUMH1 NXP CIs Calientes Especializados 6698
PUMH1,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2720
PUMH1,115 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PUMH1/DG/B2 NXP CIs Calientes Especializados 56720
PUMH1/DG/B3,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2656
PUMH1/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PUMH1/ZLX Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PUMH10 NXP CIs Calientes Especializados 177456
PUMH10 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 66296
PUMH10,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2726

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