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PUMD16,115
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PUMD16,115 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
PUMD16,115.pdf
Otros incluyen "PUMD1" partes
Las siguientes partes incluyen 'PUMD1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PUMD10 | NXP | CIs Calientes Especializados | 5231 |
PUMD10+115 | NXP | CIs Calientes Especializados | 2702 |
PUMD10+125 | NXP | CIs Calientes Especializados | 2738 |
PUMD10,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2721 |
PUMD10,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores BJT | |
PUMD10,125 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2794 |
PUMD10,125 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores BJT | |
PUMD10,135 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2705 |
PUMD10,135 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores BJT | |
PUMD10.125 | NXP | CIs Calientes Especializados | 2542 |
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