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PHT6NQ10T,135
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PHT6NQ10T,135 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
PHT6NQ10T,135 Documentos
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'PHT6N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PHT6N03LT | N | CIs Calientes Especializados | 13305 |
PHT6N03LT MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10560 |
PHT6N03T | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 52118 |
PHT6N06 | PH | CIs Calientes Especializados | 735 |
PHT6N06LI | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 1707 |
PHT6N06LT | N | CIs Calientes Especializados | 5213 |
PHT6N06LT MOS | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 10144 |
PHT6N06LT,135 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2682 |
PHT6N06LT,135 | NXP USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PHT6N06T | NXP | CIs Calientes Especializados | 1434 |
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