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PHE13009/DG,127 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 400V 12A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer WeEn Semiconductors Co., Ltd
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Transistor Type NPN
Power - Max 80W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 1.6A, 8A
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Otros incluyen   "PHE13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PHE13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHE13003A NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 4179
PHE13003A,126 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2648
PHE13003A,126 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales
PHE13003A,412 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2646
PHE13003A,412 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales
PHE13003C NXP CIs Calientes Especializados 9650
PHE13003C ,126 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 631
PHE13003C,126 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2518
PHE13003C,126 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales
PHE13003C,412 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2619

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