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PDTD113EUX Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 225MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Otros incluyen   "PDTD1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PDTD1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTD113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2794
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTD113EQAZ Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2794
PDTD113EQAZ Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTD113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2741
PDTD113ES,126 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTD113ET NXP CIs Calientes Especializados 6000
PDTD113ET ,215 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 596
PDTD113ET,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2705
PDTD113ET,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados

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