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PDTC123ES,126
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PDTC123ES,126 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PDTC1" partes
Las siguientes partes incluyen 'PDTC1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PDTC114E | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Especializados | 10219 |
PDTC114EE | SOD523 | CIs Calientes Especializados | 5811 |
PDTC114EE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2580 |
PDTC114EE,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PDTC114EE/DG | NXP | CIs Calientes Especializados | 3550 |
PDTC114EE115 | NXP | CIs Calientes Especializados | 2526 |
PDTC114EEF | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 4000 |
PDTC114EETL | PHI | CIs Calientes Especializados | 1217 |
PDTC114EK | NXP | CIs Calientes Especializados | 11871 |
PDTC114EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2636 |
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