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PDTC114ET,215 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 230MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Original-Reel®
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "PDTC1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PDTC1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTC114E NXP Semiconductors / Freescale CIs Especializados 10219
PDTC114EE SOD523 CIs Calientes Especializados 5811
PDTC114EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2580
PDTC114EE,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTC114EE/DG NXP CIs Calientes Especializados 3550
PDTC114EE115 NXP CIs Calientes Especializados 2526
PDTC114EEF PHILIPS CIs Calientes Especializados 4000
PDTC114EETL PHI CIs Calientes Especializados 1217
PDTC114EK NXP CIs Calientes Especializados 11871
PDTC114EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2636

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