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PDTA123YMB,315 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case 3-XFDFN
Frequency - Transition 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package 3-DFN1006B (0.6x1)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "PDTA1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PDTA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTA113EE NXP CIs Calientes Especializados 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTA113EK NXP CIs Calientes Especializados 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTA113EM,315 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTA113EMB,315 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados

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