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PDTA114YS,126 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PDTA113EE NXP CIs Calientes Especializados 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTA113EK NXP CIs Calientes Especializados 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTA113EM,315 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados
PDTA113EMB,315 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pre-Biasados

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