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PBSS5250THR
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PBSS5250THR Especificaciones técnicas
PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | 1727-7490-2 934071077215 PBSS5250THR-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 100MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 2A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 200mA, 2A |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Power - Max | 700mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 700mW Surface Mount TO-236AB |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PBSS5" partes
Las siguientes partes incluyen 'PBSS5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2535 |
PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PBSS5120T | NXP | CIs Calientes Especializados | 992 |
PBSS5120T,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2686 |
PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
PBSS5120T215 | NXP | CIs Calientes Especializados | 3797 |
PBSS5130PAP | NXP | CIs Calientes Especializados | 2565 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2615 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PBSS5130QA | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2704 |
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