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PBSS5130T,215
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PBSS5130T,215 Especificaciones técnicas
TRANS PNP 30V 1A SOT23
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 480mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 260 @ 500mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 225mV @ 50mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
PBSS5130T,215 Documentos
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Hojas de datos
PBSS5130T,215.pdf
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Las siguientes partes incluyen 'PBSS5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2535 |
PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PBSS5120T | NXP | CIs Calientes Especializados | 992 |
PBSS5120T,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2686 |
PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
PBSS5120T215 | NXP | CIs Calientes Especializados | 3797 |
PBSS5130PAP | NXP | CIs Calientes Especializados | 2565 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2615 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PBSS5130QA | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2704 |
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